Графен особый вид углеродной наноструктуры, состоящей из слоя атомов углерода толщиной в один атом и связанных посредтвом SP2 связей в гексагональную решетку. Такое физическое строение обуславливает наличие особых электрофизических свойства графена, которые позволяют создавать на его основе более быстрые транзисторы. Получение промышленных объемов графена позволит полностью заменить кремний в полупроводниковой технике и получить более высокие показатели быстродействия преключательных . Компания IBM сообщает о действующей модели графеновго транзистора, работающего на частоте 26 ГГц и имеющего собственный размер около 240 нм. Как отмечается в сообщении, в ходе разработок была установлена обратная зависимость между размерами транзистора и его производительностью. Таким образом, увеличение рабочей частоты достигается за счет уменьшения его размеров.
Однако, скорого перехода на массовое производство чипов нговорить еще не время. Одной из основных проблем пока остается невозможность выпуска графена в промышленных масштабах при нынешнем уровне технологий. Также пока отсутствуют результаты тестов жизнеспособности нового материала (напомним, графен был впервые получен лишь в 2004 году). По предварительным оценкам, графен может прийти на смену кремнию лишь в 2025 году.