Компания Agilent Technologies на завершившейся21 июня 2012 года в Монреале (Канада) престижной международной выставке IMS 2012/IEEE MTT-S проводимой под эгидой Института инженеров электротехники и электроники (Institute of Electrical and Electronics Engineers, IEEE), объявила о разработке новых технологий и серьезных достижениях в области проектирования ВЧ усилителей мощности.
Эти новые возможности войдут в состав следующей версии системы автоматизированного проектирования ADS-2012, разрабатываемой компанией Agilent Technologies.
На выставке были продемонстрированы возможности новой бета-версии САПР ADS 2012, а также представлен широкий диапазон возможных применений новой системы проектирования – от схемотехнического моделирования до проверки системного уровня для общих ВЧ и СВЧ приложений, связи 4G и аэрокосмических/оборонных приложений.
Новые технологии и крупные достижения компании Agilent Technologies в области проектирования ВЧ усилителей, впервые представленные в Монреале включают:
Электромагнитное моделирование с помощью метода конечных элементов с одновременным применением нескольких технологий для анализа электромагнитного взаимодействия между ИС и соединительными линиями, проволочными перемычками, шариковыми выводами кристалла «flip-chip» в типичных многокристальных модулях ВЧ усилителей мощности.
Поддержку новой модели проектирования Agilent NeuroFET на основе искусственной нейронной сети, извлеченной средствами программы моделирования устройств Agilent EEsof IC-CAP, которая позволяет точнее моделировать полевые транзисторы и получать более точные результаты (например, для мощных усилителей на GaN полевых транзисторах).
Улучшенную интеграцию с ПО Electromagnetic Professional (EMPro). Теперь 3D электромагнитные модели компонентов из EMPro можно сохранять в виде полей базы данных и непосредственно использовать в САПР ADS. -2012.
Последнюю версию нового электротермического симулятора, включенного в САПР ADS-2012. Эта новая функция, построенная на основе полноценного 3D симулятора и полностью интегрированная в систему проектирования ADS, учитывает динамические тепловые эффекты для повышения точности “термозависимых” результатов моделирования.
Улучшенный интерактивный «помощник разработчика» (DesignGuide) по расчету выходного импеданса, в которое добавлена, например, имитация рассогласования, описывающая чувствительность устройства или усилителя к изменению КСВ нагрузки или сдвига фазы.
Улучшенное руководство по проектированию усилителей, в том числе обширные обновления, упрощающие оценку характеристик усилителей при заданной выходной мощности или заданной нелинейности амплитудной характеристики.
Предполагаемый срок начала поставок САПР Agilent ADS 2012 – август 2012 года.
Система автоматизированного проектирования (САПР) Advanced Design System (ADS) занимает лидирующее положение в отрасли среди подобных программных продуктов для разработки новых электронных устройств ВЧ, СВЧ и высокоскоростных цифровых приложений.
САПР ADS обладает мощным по своим возможностям и простым в обращении интерфейсом. В ней впервые использованы такие инновационные и коммерчески успешные технологии, как X-параметры* и 3D ЭМ моделирование, применяемые ведущими компаниями в сфере беспроводной связи, компьютерных сетей, в аэрокосмической и оборонной промышленности.
Подробная информация о системе проектирования приведена на специальной странице сайта компании.
Снимки экранов новой версии ПО (скриншоты) выложены на странице www.agilent.com/find/ADS_2012_images
